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NTMFD4C86NT1G

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

制造厂商：安森美(ONSEMI)

功能简述：MOSFET 2N-CH 30V 8DFN

原厂封装：8-PowerTDFN

优势价格，NTMFD4C86NT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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NTMFD4C86NT1G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供

制造商产品型号：NTMFD4C86NT1G

制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）

描述：MOSFET 2N-CH 30V 8DFN

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

产品系列：-

零件状态：停产

FET类型：2 N 沟道（双）非对称型

FET功能：标准

漏源电压（Vdss）：30V

25°C时电流-连续漏极(Id)：11.3A，18.1A

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：5.4 毫欧 @ 30A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：22.2nC @ 10V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1153pF @ 15V

功率-最大值：1.1W

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：8-PowerTDFN

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