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NTMFD2D4N03P8的图片

NTMFD2D4N03P8

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

制造厂商：安森美(ONSEMI)

功能简述：MOSFET 2N-CH 30V 8PQFN

原厂封装：8-PowerWDFN

优势价格，NTMFD2D4N03P8的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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NTMFD2D4N03P8的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供

制造商产品型号：NTMFD2D4N03P8

制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）

描述：MOSFET 2N-CH 30V 8PQFN

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

产品系列：-

零件状态：有源

FET类型：2 N 沟道（双）非对称型

FET功能：标准

漏源电压（Vdss）：30V

25°C时电流-连续漏极(Id)：17A（Ta），56A（Tc），25A（Ta），84A（Tc）

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：5 毫欧 @ 17A，10V，2.4 毫欧 @ 25A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA，3V @ 1mA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：24nC，55nC @ 10V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1715pF @ 15V，3825pF @ 15V

功率-最大值：1W（Ta），23W（Tc），1.1W（Ta），25W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：8-PowerWDFN

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