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NTMFD1D4N02P1E的图片

NTMFD1D4N02P1E

安森美(ONSEMI)图标
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
制造厂商：安森美(ONSEMI)
功能简述：MOSFET N-CH 20V 8PQFN
原厂封装：8-PowerWDFN
优势价格，NTMFD1D4N02P1E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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NTMFD1D4N02P1E的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 制造商产品型号：NTMFD1D4N02P1E
  • 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
  • 描述：MOSFET N-CH 20V 8PQFN
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • FET类型：2 N 沟道（双）非对称型
  • FET功能：标准
  • 漏源电压（Vdss）：25V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：13A（Ta），74A（Tc），24A（Ta），155A（Tc）
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3.3 毫欧 @ 20A，10V，1.1 毫欧 @ 37A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2V @ 250A，2V @ 800A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：7.2nC @ 4.5V，21.5nC @ 4.5V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1180pF @ 13V，3603pF @ 13V
  • 功率-最大值：960mW（Ta），1W（Ta）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：8-PowerWDFN
  • 想获取NTMFD1D4N02P1E的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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