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NTMFD1D4N02P1E的图片

NTMFD1D4N02P1E

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

制造厂商：安森美(ONSEMI)

功能简述：MOSFET N-CH 20V 8PQFN

原厂封装：8-PowerWDFN

优势价格，NTMFD1D4N02P1E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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NTMFD1D4N02P1E的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供

制造商产品型号：NTMFD1D4N02P1E

制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）

描述：MOSFET N-CH 20V 8PQFN

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

产品系列：-

零件状态：有源

FET类型：2 N 沟道（双）非对称型

FET功能：标准

漏源电压（Vdss）：25V

25°C时电流-连续漏极(Id)：13A（Ta），74A（Tc），24A（Ta），155A（Tc）

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3.3 毫欧 @ 20A，10V，1.1 毫欧 @ 37A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA，2V @ 800μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：7.2nC @ 4.5V，21.5nC @ 4.5V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1180pF @ 13V，3603pF @ 13V

功率-最大值：960mW（Ta），1W（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：8-PowerWDFN

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