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NTMFD024N06CT1G的图片

NTMFD024N06CT1G

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

制造厂商：安森美(ONSEMI)

功能简述：MOSFET N-CH 60V T6 8DFN

原厂封装：8-PowerTDFN

优势价格，NTMFD024N06CT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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NTMFD024N06CT1G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供

制造商产品型号：NTMFD024N06CT1G

制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）

描述：MOSFET N-CH 60V T6 8DFN

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

产品系列：-

零件状态：有源

FET类型：2 N-通道（双）

FET功能：标准

漏源电压（Vdss）：60V

25°C时电流-连续漏极(Id)：8A（Ta），24A（Tc）

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：22.6 毫欧 @ 3A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 20μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：5.7nC @ 10V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：333pF @ 30V

功率-最大值：3.1W（Ta），28W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：8-PowerTDFN

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