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NTMD6N02R2G
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NTMD6N02R2G技术资料
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NTMD6N02R2G
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SOIC
原厂封装:
8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
优势价格,NTMD6N02R2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NTMD6N02R2G的技术资料下载
NTMD6N02R2G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号:NTMD6N02R2G
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
描述:MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SOIC
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
产品系列:-
零件状态:有源
FET类型:2 N-通道(双)
FET功能:逻辑电平门
漏源电压(Vdss):20V
25°C时电流-连续漏极(Id):3.92A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):35 毫欧 @ 6A,4.5V
不同Id时Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):20nC @ 4.5V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1100pF @ 16V
功率-最大值:730mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
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