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NTMD6N02R2技术资料
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NTMD6N02R2
场效应管阵列
制造厂商：
安森美半导体(ON Semiconductor)
功能简述：
MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SO
原厂封装：
8-SOIC
优势价格，NTMD6N02R2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NTMD6N02R2的技术资料下载
NTMD6N02R2的功能参数资料 - 安森美(ON)提供
ON安森美标准型号：NTMD6N02R2
制造厂家名称：ON Semiconductor
描述：MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SO
系列：-
FET 类型：2 个 N 沟道（双）
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：3.92A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：35 毫欧 @ 6A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：20nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1100pF @ 16V
功率 - 最大值：730mW
安装类型：表面贴装
ON安森美封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
器件封装：8-SOIC N
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