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NTLUD3A260PZTBG
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NTLUD3A260PZTBG技术资料
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NTLUD3A260PZTBG
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
制造厂商：
安森美(ONSEMI)
功能简述：
MOSFET 2P-CH 20V 1.3A 6UDFN
原厂封装：
6-UFDFN
优势价格，NTLUD3A260PZTBG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NTLUD3A260PZTBG的技术资料下载
NTLUD3A260PZTBG的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号：NTLUD3A260PZTBG
制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
描述：MOSFET 2P-CH 20V 1.3A 6UDFN
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
产品系列：-
零件状态：有源
FET类型：2 个 P 沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源电压（Vdss）：20V
25°C时电流-连续漏极(Id)：1.3A
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：200 毫欧 @ 2A，4.5V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：4.2nC @ 4.5V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：300pF @ 10V
功率-最大值：500mW
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装：6-UFDFN
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