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NTLJS3D0N02P8ZTAG
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NTLJS3D0N02P8ZTAG
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
MOSFET N-CH 20V 12.1A 6PQFN
原厂封装:
6-PQFN(2x2)
优势价格,NTLJS3D0N02P8ZTAG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NTLJS3D0N02P8ZTAG的技术资料下载
NTLJS3D0N02P8ZTAG的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号:NTLJS3D0N02P8ZTAG
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
描述:MOSFET N-CH 20V 12.1A 6PQFN
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:-
零件状态:有源
FET类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):20V
25°C时电流-连续漏极(Id):12.1A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):1.8V,4.5V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):3.8mOhm @ 10A,4.5V
不同Id时Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250A
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):21nC @ 4.5V
Vgs(最大值):±12V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2165pF @ 10V
FET功能:-
功率耗散(最大值):860mW(Ta)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
器件封装:6-PQFN(2x2)
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