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NTLJS1102PTAG
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NTLJS1102PTAG技术资料
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NTLJS1102PTAG
单端场效应管
制造厂商：
安森美半导体(ON Semiconductor)
功能简述：
MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN
原厂封装：
6-WDFN
优势价格，NTLJS1102PTAG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NTLJS1102PTAG的技术资料下载
NTLJS1102PTAG的功能参数资料 - 安森美(ON)提供
ON安森美标准型号：NTLJS1102PTAG
制造厂家名称：ON Semiconductor
描述：MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN
系列：-
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：8V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：3.7A（Ta）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：36 毫欧 @ 6.2A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：720mV @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：25nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1585pF @ 4V
功率 - 最大值：700mW
安装类型：表面贴装
ON安森美封装：6-WDFN 裸露焊盘
器件封装：6-WDFN（2x2）
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