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NTLJF3118NTAG
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NTLJF3118NTAG技术资料
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NTLJF3118NTAG
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
MOSFET N-CH 20V 2.6A 6WDFN
原厂封装:
6-WDFN(2x2)
优势价格,NTLJF3118NTAG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NTLJF3118NTAG的技术资料下载
NTLJF3118NTAG的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号:NTLJF3118NTAG
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
描述:MOSFET N-CH 20V 2.6A 6WDFN
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:-
零件状态:停产
FET类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):20V
25°C时电流-连续漏极(Id):2.6A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):1.8V,4.5V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):65 毫欧 @ 3.8A,4.5V
不同Id时Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):3.7nC @ 4.5V
Vgs(最大值):±12V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):271pF @ 10V
FET功能:肖特基二极管(隔离式)
功率耗散(最大值):700mW(Ta)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
器件封装:6-WDFN(2x2)
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