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NTLJD4150PTBG
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NTLJD4150PTBG价格
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NTLJD4150PTBG技术资料
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NTLJD4150PTBG
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6WDFN
原厂封装:
6-WDFN
优势价格,NTLJD4150PTBG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NTLJD4150PTBG的技术资料下载
NTLJD4150PTBG的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号:NTLJD4150PTBG
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
描述:MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6WDFN
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
产品系列:-
零件状态:停产
FET类型:2 个 P 沟道(双)
FET功能:逻辑电平门
漏源电压(Vdss):30V
25°C时电流-连续漏极(Id):1.8A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):135 毫欧 @ 4A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):2V @ 250A
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):4.5nC @ 4.5V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):300pF @ 15V
功率-最大值:700mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装:6-WDFN
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