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NTJS3151PT1G

单端场效应管

制造厂商：安森美半导体(ON Semiconductor)

功能简述：MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363

原厂封装：SC-88/SC70-6/SOT-363

优势价格，NTJS3151PT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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NTJS3151PT1G的功能参数资料 - 安森美(ON)提供

ON安森美标准型号：NTJS3151PT1G

制造厂家名称：ON Semiconductor

描述：MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363

系列：-

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：12V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：2.7A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：60 毫欧 @ 3.3A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：400mV @ 100μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：8.6nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：850pF @ 12V

功率 - 最大值：625mW

安装类型：表面贴装

ON安森美封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363

器件封装：SC-88/SC70-6/SOT-363

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