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NTJD4158CT1G
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NTJD4158CT1G价格
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NTJD4158CT1G技术资料
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NTJD4158CT1G
场效应管阵列
制造厂商:
安森美半导体(ON Semiconductor)
功能简述:
MOSFET N/P-CH 30V/20V SOT-363
原厂封装:
SC-88/SC70-6/SOT-363
优势价格,NTJD4158CT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NTJD4158CT1G的技术资料下载
NTJD4158CT1G的功能参数资料 - 安森美(ON)提供
ON安森美标准型号:NTJD4158CT1G
制造厂家名称:ON Semiconductor
描述:MOSFET N/P-CH 30V/20V SOT-363
系列:-
FET 类型:N 和 P 沟道
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V,20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):250mA,880mA
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):1.5 欧姆 @ 10mA,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 100μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):1.5nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):33pF @ 5V
功率 - 最大值:270mW
安装类型:表面贴装
ON安森美封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
器件封装:SC-88/SC70-6/SOT-363
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