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NTJD1155LT1G的图片

NTJD1155LT1G

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

制造厂商：安森美(ONSEMI)

功能简述：MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT363

原厂封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363

优势价格，NTJD1155LT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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NTJD1155LT1G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供

制造商产品型号：NTJD1155LT1G

制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）

描述：MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT363

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

产品系列：-

零件状态：有源

FET类型：N 和 P 沟道

FET功能：标准

漏源电压（Vdss）：8V

25°C时电流-连续漏极(Id)：1.3A

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：175 毫欧 @ 1.2A，4.5V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-

功率-最大值：400mW

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363

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