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    NTJD1155LT1的图片

    NTJD1155LT1

    安森美(ONSEMI)图标
    晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
    制造厂商：安森美(ONSEMI)
    功能简述：MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363
    原厂封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
    优势价格，NTJD1155LT1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
    NTJD1155LT1的技术资料下载
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    NTJD1155LT1的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 制造商产品型号：NTJD1155LT1
  • 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
  • 描述：MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 和 P 沟道
  • FET功能：标准
  • 漏源电压（Vdss）：8V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：1.3A
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：175 毫欧 @ 1.2A，4.5V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
  • 功率-最大值：400mW
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
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