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NTHD2102PT1G
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NTHD2102PT1G价格
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NTHD2102PT1G技术资料
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NTHD2102PT1G
场效应管阵列
制造厂商:
安森美半导体(ON Semiconductor)
功能简述:
MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET
原厂封装:
ChipFET
优势价格,NTHD2102PT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NTHD2102PT1G的技术资料下载
NTHD2102PT1G的功能参数资料 - 安森美(ON)提供
ON安森美标准型号:NTHD2102PT1G
制造厂家名称:ON Semiconductor
描述:MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET
系列:-
FET 类型:2 个 P 沟道(双)
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):8V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):3.4A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):58 毫欧 @ 3.4A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):16nC @ 2.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):715pF @ 6.4V
功率 - 最大值:1.1W
安装类型:表面贴装
ON安森美封装:8-SMD,扁平引线
器件封装:ChipFET
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