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NTH4L020N120SC1
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NTH4L020N120SC1价格
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NTH4L020N120SC1技术资料
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NTH4L020N120SC1
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造厂商：
安森美(ONSEMI)
功能简述：
TRANS SJT N-CH 1200V 102A TO247
原厂封装：
TO-247-4
优势价格，NTH4L020N120SC1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NTH4L020N120SC1的技术资料下载
NTH4L020N120SC1的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号：NTH4L020N120SC1
制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
描述：TRANS SJT N-CH 1200V 102A TO247
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
产品系列：-
零件状态：有源
FET类型：N 通道
技术：SiC（碳化硅结晶体管）
漏源电压（Vdss）：1200V
25°C时电流-连续漏极(Id)：102A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：20V
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：28毫欧 @ 60A，20V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.3V @ 20mA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：220nC @ 20V
Vgs（最大值）：+25V，-15V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2943pF @ 800V
FET功能：-
功率耗散（最大值）：510W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
器件封装：TO-247-4
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