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NTGD4169FT1G
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NTGD4169FT1G价格
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NTGD4169FT1G技术资料
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NTGD4169FT1G
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
MOSFET N-CH 30V 2.6A 6TSOP
原厂封装:
6-TSOP
优势价格,NTGD4169FT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NTGD4169FT1G的技术资料下载
NTGD4169FT1G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号:NTGD4169FT1G
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
描述:MOSFET N-CH 30V 2.6A 6TSOP
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:-
零件状态:停产
FET类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):30V
25°C时电流-连续漏极(Id):2.6A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):2.5V,4.5V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):90 毫欧 @ 2.6A,4.5V
不同Id时Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):5.5nC @ 4.5V
Vgs(最大值):±12V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):295pF @ 15V
FET功能:肖特基二极管(隔离式)
功率耗散(最大值):900mW(Ta)
工作温度:-25°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
器件封装:6-TSOP
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