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NTD6600N
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NTD6600N技术资料
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NTD6600N
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
原厂封装:
DPAK
优势价格,NTD6600N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NTD6600N的技术资料下载
NTD6600N的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号:NTD6600N
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
描述:MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:-
零件状态:停产
FET类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):100V
25°C时电流-连续漏极(Id):12A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):5V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):146 毫欧 @ 6A,5V
不同Id时Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):20nC @ 5V
Vgs(最大值):±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):700pF @ 25V
FET功能:-
功率耗散(最大值):1.28W(Ta),56.6W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
器件封装:DPAK
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