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NTD5805NT4G
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NTD5805NT4G技术资料
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NTD5805NT4G
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
MOSFET N-CH 40V 51A DPAK
原厂封装:
DPAK
优势价格,NTD5805NT4G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NTD5805NT4G的技术资料下载
NTD5805NT4G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号:NTD5805NT4G
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
描述:MOSFET N-CH 40V 51A DPAK
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:-
零件状态:停产
FET类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):40V
25°C时电流-连续漏极(Id):51A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):5V,10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):9.5 毫欧 @ 15A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):80nC @ 10V
Vgs(最大值):±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1725pF @ 25V
FET功能:-
功率耗散(最大值):47W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
器件封装:DPAK
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NTD5807NT4G
晶
FAN3800MLP24X
线性 - 放大器 - 音频
MC74AC374DTR2
逻辑 - 触发器
AP0101AT2L00XPGA0-DR
线性 - 视频处理
FCB20N60FTM
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