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NTD50N03RT4G的图片

NTD50N03RT4G

安森美(ONSEMI)图标
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:安森美(ONSEMI)
功能简述:MOSFET N-CH 25V 7.8A/45A DPAK
原厂封装:DPAK
优势价格,NTD50N03RT4G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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NTD50N03RT4G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 制造商产品型号:NTD50N03RT4G
  • 制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
  • 描述:MOSFET N-CH 25V 7.8A/45A DPAK
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:-
  • 零件状态:停产
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):25V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):7.8A(Ta),45A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,11.5V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):12 毫欧 @ 30A,11.5V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):15nC @ 11.5V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):750pF @ 12V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):1.5W(Ta),50W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:DPAK
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  • NTD50N03RT4
  • NTD50N03RG
  • 接口 - 控制器
    FUSB301TMX
  • 评估板 - DC-DC 与 AC-DC(离线)SMPS
    FEBFAN7688-I00250A-GEVB
  • 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
    PZT2907AT1G
  • 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
    BC807-40LT3G
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