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NTD50N03R
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NTD50N03R技术资料
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NTD50N03R
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
MOSFET N-CH 25V 7.8A/45A DPAK
原厂封装:
DPAK
优势价格,NTD50N03R的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NTD50N03R的技术资料下载
NTD50N03R的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号:NTD50N03R
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
描述:MOSFET N-CH 25V 7.8A/45A DPAK
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:-
零件状态:停产
FET类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):25V
25°C时电流-连续漏极(Id):7.8A(Ta),45A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,11.5V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):12 毫欧 @ 30A,11.5V
不同Id时Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):15nC @ 11.5V
Vgs(最大值):±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):750pF @ 12V
FET功能:-
功率耗散(最大值):1.5W(Ta),50W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
器件封装:DPAK
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