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NTD4863NAT4G
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NTD4863NAT4G技术资料
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NTD4863NAT4G
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
MOSFET N-CH 25V 9.2A/49A DPAK
原厂封装:
DPAK
优势价格,NTD4863NAT4G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NTD4863NAT4G的技术资料下载
NTD4863NAT4G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号:NTD4863NAT4G
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
描述:MOSFET N-CH 25V 9.2A/49A DPAK
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:-
零件状态:停产
FET类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):25V
25°C时电流-连续漏极(Id):9.2A(Ta),49A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):-
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):9.3 毫欧 @ 30A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250A
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):13.5nC @ 4.5V
Vgs(最大值):-
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):990pF @ 12V
FET功能:-
功率耗散(最大值):1.27W(Ta),36.6W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
器件封装:DPAK
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