安森美代理，ON代理商，安森美代理商
安森美代理商渠道，安森美芯片一站式采购平台
安森美(ONSEMI)芯片的即时报价、快速出货、无起订量
ON
  • 首页
  • ON安森美
  • 产品中心
  • 产品应用
  • 相关型号
  • 新闻与资源
  • 联系我们
    • | NTD4809NH-1G | NTD4809NH-1G价格 | NTD4809NH-1G技术资料 |
    NTD4809NH-1G的图片

    NTD4809NH-1G

    安森美(ONSEMI)图标
    晶体管 - FET，MOSFET - 单个
    制造厂商：安森美(ONSEMI)
    功能简述：MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK
    原厂封装：I-PAK
    优势价格，NTD4809NH-1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
    NTD4809NH-1G的技术资料下载
    电话询问价格
    NTD4809NH-1G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 制造商产品型号：NTD4809NH-1G
  • 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
  • 描述：MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：9.6A（Ta），58A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，11.5V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：9 毫欧 @ 30A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：15nC @ 4.5V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2155pF @ 12V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：1.3W（Ta），52W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 器件封装：I-PAK
  • 想获取NTD4809NH-1G的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
    • 了解更多安森美(ONSEMI)芯片的报价及技术资料
  • NTD4809NH-35G
    晶
    NTD4809NH-35G
  • NTD4857N-1G
    晶
    NTD4857N-1G
  • SA5532NG
    线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓
    SA5532NG
  • FQB7N80TM_AM002
    晶体管 - FET，MOSFET - 单个
    FQB7N80TM_AM002
  • HCPL2530SDV
    光隔离器 - 晶体管，光电输出
    HCPL2530SDV
  • BC549B
    晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
    BC549B
    • 安森美芯片代理的长期订单优势货源：随时现货+极具竞争力的价格
    安森美公司（ONSEMI）授权的国内安森美代理商一手货源，大小批量出货
    www.onansenmei.com