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NTD3813N-1G

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

制造厂商：安森美(ONSEMI)

功能简述：MOSFET N-CH 16V 9.6A/51A IPAK

原厂封装：I-PAK

优势价格，NTD3813N-1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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NTD3813N-1G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供

制造商产品型号：NTD3813N-1G

制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）

描述：MOSFET N-CH 16V 9.6A/51A IPAK

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：-

零件状态：停产

FET类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：16V

25°C时电流-连续漏极(Id)：9.6A（Ta），51A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：8.75 毫欧 @ 15A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：12.8nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±16V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：963pF @ 12V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：1.2W（Ta），34.9W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：通孔

器件封装：I-PAK

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