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NTBG160N120SC1
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NTBG160N120SC1价格
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NTBG160N120SC1技术资料
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NTBG160N120SC1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
TRANS SJT N-CH 1200V 19.5A D2PAK
原厂封装:
D2PAK-7
优势价格,NTBG160N120SC1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NTBG160N120SC1的技术资料下载
NTBG160N120SC1的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号:NTBG160N120SC1
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
描述:TRANS SJT N-CH 1200V 19.5A D2PAK
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:-
零件状态:有源
FET类型:N 通道
技术:SiC(碳化硅结晶体管)
漏源电压(Vdss):1200V
25°C时电流-连续漏极(Id):19.5A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):20V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):224毫欧 @ 12A,20V
不同Id时Vgs(th)(最大值):4,3V @ 2,5mA
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):33.8nC @ 20V
Vgs(最大值):+25V,-15V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):678pF @ 800V
FET功能:-
功率耗散(最大值):136W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
器件封装:D2PAK-7
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