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NTB6412ANT4G的图片

NTB6412ANT4G

安森美(ONSEMI)图标
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:安森美(ONSEMI)
功能简述:MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK
原厂封装:D2PAK
优势价格,NTB6412ANT4G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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NTB6412ANT4G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 制造商产品型号:NTB6412ANT4G
  • 制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
  • 描述:MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:-
  • 零件状态:停产
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):100V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):58A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):18.2 毫欧 @ 58A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):100nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):3500pF @ 25V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):167W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:D2PAK
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  • 逻辑 - 专用逻辑
    74LVX161284MEAX
  • 逻辑 - 锁存器
    74ACTQ533MTCX
  • 评估板 - 传感器
    MT9M034I12STMVH-GEVB
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