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NTB5605P
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NTB5605P技术资料
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NTB5605P
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造厂商：
安森美(ONSEMI)
功能简述：
MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK
原厂封装：
D2PAK
优势价格，NTB5605P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NTB5605P的技术资料下载
NTB5605P的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号：NTB5605P
制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
描述：MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
产品系列：-
零件状态：停产
FET类型：P 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：60V
25°C时电流-连续漏极(Id)：18.5A（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：140 毫欧 @ 8.5A，5V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：22nC @ 5V
Vgs（最大值）：±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1190pF @ 25V
FET功能：-
功率耗散（最大值）：88W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
器件封装：D2PAK
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