安森美代理，ON代理商，安森美代理商
安森美代理商渠道，安森美芯片一站式采购平台
安森美(ONSEMI)芯片的即时报价、快速出货、无起订量
ON
  • 首页
  • ON安森美
  • 产品中心
  • 产品应用
  • 相关型号
  • 新闻与资源
  • 联系我们
    • | NSVMUN531335DW1T3G | NSVMUN531335DW1T3G价格 | NSVMUN531335DW1T3G技术资料 |
    NSVMUN531335DW1T3G的图片

    NSVMUN531335DW1T3G

    安森美(ONSEMI)图标
    晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置
    制造厂商：安森美(ONSEMI)
    功能简述：TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SC88
    原厂封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
    优势价格，NSVMUN531335DW1T3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
    NSVMUN531335DW1T3G的技术资料下载
    电话询问价格
    NSVMUN531335DW1T3G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 制造商产品型号：NSVMUN531335DW1T3G
  • 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
  • 描述：TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SC88
  • 系列：晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置
  • 零件状态：有源
  • 晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：100mA
  • 电压-集射极击穿（最大值）：50V
  • 电阻器-基极(R1)：47 千欧，2.2 千欧
  • 电阻器-发射极(R2)：47 千欧，47 千欧
  • 不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)（最小值）：80 @ 5mA，10V
  • 不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降（最大值）：250mV @ 300μA，10mA
  • 电流-集电极截止（最大值）：500nA
  • 频率-跃迁：-
  • 功率-最大值：385mW
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
  • 想获取NSVMUN531335DW1T3G的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
    • 了解更多安森美(ONSEMI)芯片的报价及技术资料
  • NSVMUN2236T1G
    晶
    NSVMUN2236T1G
  • NSVMUN5211DW1T2G
    晶
    NSVMUN5211DW1T2G
  • BC238CTA
    晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
    BC238CTA
  • PZT651T1
    单路晶体管(BJT)
    PZT651T1
  • MMSD914T1
    单二极管整流器
    MMSD914T1
  • FDD86102LZ
    晶体管 - FET，MOSFET - 单个
    FDD86102LZ
    • 安森美芯片代理的长期订单优势货源：随时现货+极具竞争力的价格
    安森美公司（ONSEMI）授权的国内安森美代理商一手货源，大小批量出货
    www.onansenmei.com