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NSVMUN5211DW1T3G

ON图标
晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
制造厂商:安森美半导体(ON Semiconductor)
功能简述:TRANS 2NPN PREBIAS 50V SOT363
原厂封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
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NSVMUN5211DW1T3G的功能参数资料 - 安森美(ON)提供
  • ON安森美标准型号: NSVMUN5211DW1T3G
  • 制造厂家名称: ON Semiconductor
  • 功能总体简述: TRANS 2NPN PREBIAS 50V SOT363
  • 系列: -
  • 晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)
  • 电流 - 集电极(Ic)(最大值): 100mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
  • 电阻器 - 基底(R1)(欧姆): 10k
  • 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆): 10k
  • 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值): 35 @ 5mA,10V
  • 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值): 250mV @ 300μA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值): 500nA
  • 频率 - 跃迁: -
  • 功率 - 最大值: 250mW
  • 安装类型: 表面贴装
  • ON安森美封装: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 器件封装: SC-88/SC70-6/SOT-363
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