NSVJ5908DSG5T1G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号：NSVJ5908DSG5T1G制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）描述：NCH+NCH J-FET系列：晶体管 - JFET零件状态：有源FET类型：2 N-通道（双）电压-击穿(V(BR)GSS)：15V漏源电压（Vdss）：15V不同Vds(Vgs=0)时电流-漏极(Idss)：10mA @ 5V漏极电流(Id)-最大值：50mA不同Id时电压-截止(VGSoff)：300mV @ 100μA不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：10.5pF @ 5V（标准）电阻-RDS(On)：-功率-最大值：300mW工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：5-SMD，扁平引线想获取NSVJ5908DSG5T1G的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
