NSVJ5908DSG5T1G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
- 制造商产品型号：NSVJ5908DSG5T1G
- 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
- 描述：NCH+NCH J-FET
- 系列：晶体管 - JFET
- 零件状态：有源
- FET类型：2 N-通道（双）
- 电压-击穿(V(BR)GSS)：15V
- 漏源电压（Vdss）：15V
- 不同Vds(Vgs=0)时电流-漏极(Idss)：10mA @ 5V
- 漏极电流(Id)-最大值：50mA
- 不同Id时电压-截止(VGSoff)：300mV @ 100A
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：10.5pF @ 5V（标准）
- 电阻-RDS(On)：-
- 功率-最大值：300mW
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：5-SMD，扁平引线
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