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NSVEMX1DXV6T1G
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NSVEMX1DXV6T1G技术资料
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NSVEMX1DXV6T1G
晶体管(BJT) - 阵列
制造厂商:
安森美半导体(ON Semiconductor)
功能简述:
TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT563
原厂封装:
SOT-563,SOT-666
优势价格,NSVEMX1DXV6T1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NSVEMX1DXV6T1G的技术资料下载
NSVEMX1DXV6T1G的功能参数资料 - 安森美(ON)提供
ON安森美标准型号: NSVEMX1DXV6T1G
制造厂家名称: ON Semiconductor
功能总体简述: TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT563
系列: -
晶体管类型: 2 NPN(双)
电流 - 集电极(Ic)(最大值): 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值): 400mV @ 5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA(ICBO)
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值): 120 @ 1mA,6V
功率 - 最大值: 500mW
频率 - 跃迁: 180MHz
安装类型: 表面贴装
ON安森美封装: SOT-563,SOT-666
器件封装: SOT-563
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