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NSVDTA115EET1G
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NSVDTA115EET1G技术资料
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NSVDTA115EET1G
晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
制造厂商：
安森美(ONSEMI)
功能简述：
TRANS PREBIAS PNP 0.2W SC75-3
原厂封装：
SC-75，SOT-416
优势价格，NSVDTA115EET1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NSVDTA115EET1G的技术资料下载
NSVDTA115EET1G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号：NSVDTA115EET1G
制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
描述：TRANS PREBIAS PNP 0.2W SC75-3
系列：晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
零件状态：有源
晶体管类型：PNP - 预偏压
电流-集电极(Ic)（最大值）：100mA
电压-集射极击穿（最大值）：50V
电阻器-基极(R1)：100 kOhms
电阻器-发射极(R2)：100 kOhms
不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)（最小值）：80 @ 5mA，10V
不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降（最大值）：250mV @ 300μA，10mA
电流-集电极截止（最大值）：500nA
频率-跃迁：-
功率-最大值：200mW
安装类型：表面贴装型
封装：SC-75，SOT-416
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