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NSVBSP19AT1G
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NSVBSP19AT1G技术资料
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NSVBSP19AT1G
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
TRANS NPN 350V 0.1A SOT223
原厂封装:
TO-261-4,TO-261AA
优势价格,NSVBSP19AT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NSVBSP19AT1G的技术资料下载
NSVBSP19AT1G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号:NSVBSP19AT1G
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
描述:TRANS NPN 350V 0.1A SOT223
系列:晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
产品系列:-
零件状态:停产
晶体管类型:NPN
电流-集电极(Ic)(最大值):100mA
电压-集射极击穿(最大值):350V
不同Ib、Ic时Vce饱和压降(最大值):500mV @ 4mA,50mA
电流-集电极截止(最大值):20nA(ICBO)
不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值):40 @ 20mA,10V
功率-最大值:800mW
频率-跃迁:70MHz
工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装:TO-261-4,TO-261AA
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