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NSV60101DMR6T1G的图片

NSV60101DMR6T1G

安森美(ONSEMI)图标
晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列
制造厂商：安森美(ONSEMI)
功能简述：60V, 1A DUAL NPN LOW VCE(
原厂封装：SC-74，SOT-457
优势价格，NSV60101DMR6T1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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NSV60101DMR6T1G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 制造商产品型号：NSV60101DMR6T1G
  • 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
  • 描述：60V, 1A DUAL NPN LOW VCE(
  • 系列：晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列
  • 零件状态：有源
  • 晶体管类型：2 NPN（双）
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：1A
  • 电压-集射极击穿（最大值）：60V
  • 不同Ib、Ic时Vce饱和压降（最大值）：200mV @ 100mA，1A
  • 电流-集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
  • 不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)（最小值）：250 @ 100mA，5V
  • 功率-最大值：530mW
  • 频率-跃迁：200MHz
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：SC-74，SOT-457
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