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NSV60100DMTWTBG
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NSV60100DMTWTBG技术资料
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NSV60100DMTWTBG
晶体管(BJT) - 阵列
制造厂商:
安森美半导体(ON Semiconductor)
功能简述:
DUAL TRANSISTOR PNP
原厂封装:
6-WDFN
优势价格,NSV60100DMTWTBG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NSV60100DMTWTBG的技术资料下载
NSV60100DMTWTBG的功能参数资料 - 安森美(ON)提供
ON安森美标准型号: NSV60100DMTWTBG
制造厂家名称: ON Semiconductor
功能总体简述: DUAL TRANSISTOR PNP
系列: -
晶体管类型: 2 NPN(双)
电流 - 集电极(Ic)(最大值): 1A
电压 - 集射极击穿(最大值): 60V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值): 300mV @ 100mA,2A
电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值): 120 @ 500mA,2V
功率 - 最大值: 2.27W
频率 - 跃迁: 155MHz
安装类型: 表面贴装
ON安森美封装: 6-WDFN 裸露焊盘
器件封装: 6-WDFN(2x2)
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