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NSTJD1155LT1G
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NSTJD1155LT1G技术资料
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NSTJD1155LT1G
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
MOSFET 2P-CH 8V 1.3A SC88
原厂封装:
-
优势价格,NSTJD1155LT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NSTJD1155LT1G的技术资料下载
NSTJD1155LT1G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号:NSTJD1155LT1G
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
描述:MOSFET 2P-CH 8V 1.3A SC88
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
产品系列:-
零件状态:停产
FET类型:-
FET功能:-
漏源电压(Vdss):-
25°C时电流-连续漏极(Id):-
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):-
不同Id时Vgs(th)(最大值):-
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):-
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):-
功率-最大值:-
工作温度:-
安装类型:-
封装:-
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