NST847BPDP6T5G

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列

制造厂商：安森美(ONSEMI)

功能简述：TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT963

原厂封装：SOT-963

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NST847BPDP6T5G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供

制造商产品型号：NST847BPDP6T5G

制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）

描述：TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT963

系列：晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列

零件状态：有源

晶体管类型：NPN，PNP

电流-集电极(Ic)（最大值）：100mA

电压-集射极击穿（最大值）：45V

不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降（最大值）：600mV @ 5mA，100mA / 700mV @ 5mA，100mA

电流-集电极截止（最大值）：15nA（ICBO）

不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)（最小值）：200 @ 2mA，5V / 220 @ 2mA，5V

功率-最大值：350mW

频率-跃迁：100MHz

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：SOT-963

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