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NSS60100DMTTBG
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NSS60100DMTTBG技术资料
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NSS60100DMTTBG
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
TRANS 2PNP 60V 1A
原厂封装:
6-WDFN
优势价格,NSS60100DMTTBG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NSS60100DMTTBG的技术资料下载
NSS60100DMTTBG的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号:NSS60100DMTTBG
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
描述:TRANS 2PNP 60V 1A
系列:晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
零件状态:有源
晶体管类型:2 PNP(双)
电流-集电极(Ic)(最大值):1A
电压-集射极击穿(最大值):60V
不同Ib、Ic时Vce饱和压降(最大值):300mV @ 100mA,1A
电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值):120 @ 500mA,2V
功率-最大值:2.27W
频率-跃迁:155MHz
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装:6-WDFN
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