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NSS40300DDR2G

安森美(ONSEMI)图标
晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列
制造厂商：安森美(ONSEMI)
功能简述：TRANS 2PNP 40V 3A 8SOIC
原厂封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
优势价格，NSS40300DDR2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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NSS40300DDR2G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 制造商产品型号：NSS40300DDR2G
  • 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
  • 描述：TRANS 2PNP 40V 3A 8SOIC
  • 系列：晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列
  • 零件状态：有源
  • 晶体管类型：2 PNP（双）
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：3A
  • 电压-集射极击穿（最大值）：40V
  • 不同Ib、Ic时Vce饱和压降（最大值）：170mV @ 200mA，2A
  • 电流-集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
  • 不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)（最小值）：180 @ 1A，2V
  • 功率-最大值：653mW
  • 频率-跃迁：100MHz
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
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