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NSBC113EPDXV6T1G
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NSBC113EPDXV6T1G价格
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NSBC113EPDXV6T1G技术资料
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NSBC113EPDXV6T1G
晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
原厂封装:
-
优势价格,NSBC113EPDXV6T1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NSBC113EPDXV6T1G的技术资料下载
NSBC113EPDXV6T1G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号:NSBC113EPDXV6T1G
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
系列:晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
零件状态:有源
晶体管类型:-
电流-集电极(Ic)(最大值):-
电压-集射极击穿(最大值):-
电阻器-基极(R1):-
电阻器-发射极(R2):-
不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)(最小值):-
不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降(最大值):-
电流-集电极截止(最大值):-
频率-跃迁:-
功率-最大值:-
安装类型:-
封装:-
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