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NSBA114EDP6T5G的图片

NSBA114EDP6T5G

ON图标
阵列﹐预偏压式晶体管
制造厂商:安森美半导体(ON Semiconductor)
功能简述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.338W SOT963
原厂封装:SOT-963
优势价格,NSBA114EDP6T5G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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NSBA114EDP6T5G的功能参数资料 - 安森美(ON)提供
  • ON安森美标准型号:NSBA114EDP6T5G
  • 制造厂家名称:ON Semiconductor
  • 描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.338W SOT963
  • 系列:-
  • 晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):50V
  • 电阻器 - 基底 (R1) (Ω):10k
  • 电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω):10k
  • 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值):35 @ 5mA,10V
  • 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300μA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值):500nA
  • 频率 - 跃迁:-
  • 功率 - 最大值:338mW
  • 安装类型:表面贴装
  • ON安森美封装:SOT-963
  • 器件封装:SOT-963
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