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NGTD21T65F2WP的图片

NGTD21T65F2WP

晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

制造厂商：安森美(ONSEMI)

功能简述：IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

原厂封装：模具

优势价格，NGTD21T65F2WP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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NGTD21T65F2WP的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供

制造商产品型号：NGTD21T65F2WP

制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）

描述：IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

产品系列：-

零件状态：有源

IGBT类型：沟槽型场截止

电压-集射极击穿（最大值）：650V

电流-集电极(Ic)（最大值）：-

电流-集电极脉冲(Icm)：200A

不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：1.9V @ 15V，45A

功率-最大值：-

开关能量：-

输入类型：标准

栅极电荷：-

25°C时Td（开/关）值：-

测试条件：-

反向恢复时间(trr)：-

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：模具

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