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NGTB50N60L2WG

安森美(ONSEMI)图标
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商：安森美(ONSEMI)
功能简述：IGBT 600V 50A TO247
原厂封装：TO-247-3
优势价格，NGTB50N60L2WG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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NGTB50N60L2WG的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 制造商产品型号：NGTB50N60L2WG
  • 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
  • 描述：IGBT 600V 50A TO247
  • 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • IGBT类型：沟槽型场截止
  • 电压-集射极击穿（最大值）：600V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：100A
  • 电流-集电极脉冲(Icm)：200A
  • 不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：1.8V @ 15V，50A
  • 功率-最大值：500W
  • 开关能量：800J（开），600J（关）
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：310nC
  • 25°C时Td（开/关）值：110ns/270ns
  • 测试条件：400V，50A，10 欧姆，15V
  • 反向恢复时间(trr)：67ns
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 封装：TO-247-3
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