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NGTB45N60S1WG
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NGTB45N60S1WG技术资料
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NGTB45N60S1WG
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
IGBT 45A 600V TO-247
原厂封装:
TO-247-3
优势价格,NGTB45N60S1WG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NGTB45N60S1WG的技术资料下载
NGTB45N60S1WG的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号:NGTB45N60S1WG
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
描述:IGBT 45A 600V TO-247
系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列:-
零件状态:停产
IGBT类型:沟道
电压-集射极击穿(最大值):600V
电流-集电极(Ic)(最大值):90A
电流-集电极脉冲(Icm):180A
不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,45A
功率-最大值:300W
开关能量:1.25mJ(开),530μJ(关)
输入类型:标准
栅极电荷:125nC
25°C时Td(开/关)值:72ns/132ns
测试条件:400V,45A,10 欧姆,15V
反向恢复时间(trr):70ns
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装:TO-247-3
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