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NGTB40N65IHL2WG
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NGTB40N65IHL2WG技术资料
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NGTB40N65IHL2WG
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商：
安森美(ONSEMI)
功能简述：
IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO247-3
原厂封装：
TO-247-3
优势价格，NGTB40N65IHL2WG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NGTB40N65IHL2WG的技术资料下载
NGTB40N65IHL2WG的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号：NGTB40N65IHL2WG
制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
描述：IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO247-3
系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列：-
零件状态：有源
IGBT类型：沟槽型场截止
电压-集射极击穿（最大值）：650V
电流-集电极(Ic)（最大值）：80A
电流-集电极脉冲(Icm)：160A
不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.2V @ 15V，40A
功率-最大值：300W
开关能量：360μJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：135nC
25°C时Td（开/关）值：-/140ns
测试条件：400V，40A，10 欧姆，15V
反向恢复时间(trr)：465ns
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装：TO-247-3
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