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NGTB35N65FL2WG
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NGTB35N65FL2WG技术资料
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NGTB35N65FL2WG
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商：
安森美(ONSEMI)
功能简述：
IGBT TRENCH/FS 650V 70A TO247
原厂封装：
TO-247-3
优势价格，NGTB35N65FL2WG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NGTB35N65FL2WG的技术资料下载
NGTB35N65FL2WG的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号：NGTB35N65FL2WG
制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
描述：IGBT TRENCH/FS 650V 70A TO247
系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列：-
零件状态：有源
IGBT类型：沟槽型场截止
电压-集射极击穿（最大值）：650V
电流-集电极(Ic)（最大值）：70A
电流-集电极脉冲(Icm)：120A
不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，35A
功率-最大值：300W
开关能量：840μJ（开），280μJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：125nC
25°C时Td（开/关）值：72ns/132ns
测试条件：400V，35A，10 欧姆，15V
反向恢复时间(trr)：68ns
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装：TO-247-3
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