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NGTB30N135IHR1WG
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NGTB30N135IHR1WG技术资料
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NGTB30N135IHR1WG
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
IGBT 1350V 30A TO247
原厂封装:
TO-247-3
优势价格,NGTB30N135IHR1WG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NGTB30N135IHR1WG的技术资料下载
NGTB30N135IHR1WG的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号:NGTB30N135IHR1WG
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
描述:IGBT 1350V 30A TO247
系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列:-
零件状态:最後搶購
IGBT类型:沟槽型场截止
电压-集射极击穿(最大值):1350V
电流-集电极(Ic)(最大值):60A
电流-集电极脉冲(Icm):120A
不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):3V @ 15V,30A
功率-最大值:394W
开关能量:630μA(关)
输入类型:标准
栅极电荷:220nC
25°C时Td(开/关)值:-/200ns
测试条件:600V,30A,10 欧姆,15V
反向恢复时间(trr):-
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装:TO-247-3
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