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NGTB30N135IHR1WG的图片

NGTB30N135IHR1WG

安森美(ONSEMI)图标
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商:安森美(ONSEMI)
功能简述:IGBT 1350V 30A TO247
原厂封装:TO-247-3
优势价格,NGTB30N135IHR1WG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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NGTB30N135IHR1WG的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 制造商产品型号:NGTB30N135IHR1WG
  • 制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
  • 描述:IGBT 1350V 30A TO247
  • 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列:-
  • 零件状态:最後搶購
  • IGBT类型:沟槽型场截止
  • 电压-集射极击穿(最大值):1350V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):60A
  • 电流-集电极脉冲(Icm):120A
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):3V @ 15V,30A
  • 功率-最大值:394W
  • 开关能量:630μA(关)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:220nC
  • 25°C时Td(开/关)值:-/200ns
  • 测试条件:600V,30A,10 欧姆,15V
  • 反向恢复时间(trr):-
  • 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 封装:TO-247-3
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  • 接口 - 控制器
    FUSB301TMX
  • 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
    PZT2907AT1G
  • 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
    BC807-40LT3G
  • 电源管理IC - 电机驱动器,控制器
    LB11696V-TRM-E
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