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NGTB30N120L2WG
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NGTB30N120L2WG技术资料
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NGTB30N120L2WG
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
IGBT 1200V 60A 534W TO247
原厂封装:
-
优势价格,NGTB30N120L2WG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NGTB30N120L2WG的技术资料下载
NGTB30N120L2WG的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号:NGTB30N120L2WG
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
描述:IGBT 1200V 60A 534W TO247
系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列:*
零件状态:停产
IGBT类型:-
电压-集射极击穿(最大值):-
电流-集电极(Ic)(最大值):-
电流-集电极脉冲(Icm):-
不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):-
功率-最大值:-
开关能量:-
输入类型:-
栅极电荷:-
25°C时Td(开/关)值:-
测试条件:-
反向恢复时间(trr):-
工作温度:-
安装类型:-
封装:-
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晶
NGTB35N60FL2WG
晶
NCV7440C1
接口 - 驱动器,接收器,收发器
MC74LCX125DTR2G
逻辑 - 缓冲器,驱动器,接收器,收发器
NRVBAF3200T3G
二极管 - 整流器 - 单
FJY4002R
晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
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