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NGTB30N120IHRWG
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NGTB30N120IHRWG技术资料
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NGTB30N120IHRWG
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商：
安森美(ONSEMI)
功能简述：
IGBT 1200V 60A 384W TO247
原厂封装：
TO-247-3
优势价格，NGTB30N120IHRWG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NGTB30N120IHRWG的技术资料下载
NGTB30N120IHRWG的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号：NGTB30N120IHRWG
制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
描述：IGBT 1200V 60A 384W TO247
系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列：-
零件状态：停产
IGBT类型：沟槽型场截止
电压-集射极击穿（最大值）：1200V
电流-集电极(Ic)（最大值）：60A
电流-集电极脉冲(Icm)：120A
不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V，30A
功率-最大值：384W
开关能量：700μJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：225nC
25°C时Td（开/关）值：-/230ns
测试条件：600V，30A，10 欧姆，15V
反向恢复时间(trr)：-
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装：TO-247-3
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